西门子CPU224XP继电器6ES7214-2BD23-0XB8
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产品型号以及描述:
CPU
1 6ES7 211-0AA23-0XB0 CPU221 DC/DC/DC,6输入/4输出
2 6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 继电器输出,6输入/4输出
3 6ES7 212-1AB23-0XB8 CPU222 DC/DC/DC,8输入/6输出
4 6ES7 212-1BB23-0XB8 CPU222 继电器输出,8输入/6输出
5 6ES7 214-1AD23-0XB8 CPU224 DC/DC/DC,14输入/10输出
6 6ES7 214-1BD23-0XB8 CPU224 继电器输出,14输入/10输出
7 6ES7 214-2AD23-0XB8 CPU224XP DC/DC/DC,14DI/10DO,2AI/1AO
8 6ES7 214-2BD23-0XB8 CPU224XP 继电器输出,14DI/10DO,2AI/1AO
9 6ES7 216-2AD23-0XB8 CPU226 DC/DC/DC,24输入/16输出
10 6ES7 216-2BD23-0XB8 CPU226 继电器输出,24输入/16输出
STEP 7-Micro/WIN32 V4 可以对所有 S7-200 CPU 进行编程.
注意:
不能使用 STEP 7-Micro/DOS 对 CPU 224 进行编程。如果通过PG/PC的串口进行编程,则额外需要PC/PPI电缆。当使用STEP 7 Micro/Win V4编程时,可以通过SIMATIC CP 5511 或 CP 5611进行编程,以及通过编程器的MPI接口编程。此时传输速率为187.5 kbps。
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6ES7 214-2AD23-0XB0 |
6ES7 214-2BD23-0XB0 |
6ES7 214-2AS23-0XB0 |
电源电压 |
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24 V DC |
√ |
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√ |
允许范围,下限 (DC) |
20.4 V |
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20.4 V |
允许范围,上限 (DC) |
28.8 V |
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28.8 V |
120 V AC |
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√ |
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230 V AC |
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√ |
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电源频率 |
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63 Hz |
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负载电压 L+ |
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24 V |
24 V |
24 V |
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20.4 V |
5 V |
20.4 V |
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28.8 V |
30 V |
28.8 V |
负载电压L1 |
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100 V; 100 至 230 V AC |
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5 V |
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250 V |
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47 Hz |
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63 Hz |
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输入电流 |
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突波电流, |
28.8 V 时 12 A |
264 V 时 20 A |
28.8 V 时 12 A |
从电源L+ 供电, |
900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA |
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900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA |
从电源L1供电, |
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220 mA; 35 - 100 mA (240 V); 70 - 220 mA (120 V); 扩展模块输出电流 (5 VDC) 600 mA |
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编码器电源 |
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24 V 编码器电源 |
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√;允许范围:15.4 至 28.8 V |
√;允许范围:20.4 至 28.8 V |
√;允许范围:15.4 至 28.8 V |
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√; 280 mA 时电子式 |
√; 280 mA 时电子式 |
√; 280 mA 时电子式 |
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280 mA |
280 mA |
280 mA |
备用电池 |
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电池运行 |
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100 小时;(40 ℃ 时,短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) |
100 小时;(40 ℃ 时,短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) |
100 小时;(40 ℃ 时,短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) |
存储器 |
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存储模块数量(选件) |
1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 |
1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 |
1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 |
数据和程序存储器 |
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10 kbyte |
10 kbyte |
10 kbyte |
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16 KB;12 KB 用于运行时编辑 |
16 KB;12 KB 用于运行时编辑 |
16 KB;12 KB 用于运行时编辑 |
后备 |
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√;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 |
CPU 处理时间 |
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位指令, |
0.22 µs |
0.22 µs |
0.22 µs |
计数器、定时器及其保持性 |
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S7 计数器 |
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256 |
256 |
256 |
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√;通过高性能电容或电池 |
√;通过高性能电容或电池 |
√;通过高性能电容或电池 |
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