特征:RF电源:13.56MHz,2KV. 抽真空时间:正常情况1小时左右到5×10(-4)Pa(不加液氮) 溅射腔:上端为靶区,有两个可以ф 下端为可以旋转的ф 建设区域:托盘不旋转ф75±10% 托盘旋转时,大约在ф365到ф290环状区的±10% 抽真空过程和溅射过程实现半自动化。 另外,反射功率接近零,可以作逆溅射进行离子腐刻。 组成:冷水机组、建设装置本体、控制柜、RF电源、3ф200V/3ф380V变压器及附件
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