普赛斯功率半导体测试平台igbt测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电
功率半导体测试平台igbt测试设备测试夹具针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供
整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。
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