IGBT静态参数测试仪器简介:
IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。
IGBT测试难点:
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。
产品简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。
技术参数:
电流测试范围:1uA~100mA;
电压测试范围:100V~3000V;
最大输出功率:300W,3000V/100mA(不同型号有差异);
输出电压建立时间:< 5ms;
输出接口:KHV(三同轴),支持四线测量;
扫描:支持线性、对数及用户自定义扫描;
通信接口:RS232、以太网;
保护:支持急停;
触发:支持trig IN及trig out;
尺寸:19英寸1U机箱;
应用领域:
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
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