读写程速度, 编程+校验一片1Gb NAND FLASH 存储器 仅须280秒,128Mb NOR FLASH 仅需60秒。芯片烧写速度平均提高2~10倍。
对NANDFLASH而言,可依据客户所提出的NAND Flash坏块规则进行针对性的处理。
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