品牌: | TOSHIBA/东芝 | 型号: | 2SA1180 |
种类: | 结型(JFET) | 沟道类型: | N沟道 |
导电方式: | 增强型 | 用途: | FM/调频 |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压: | 1(V) | 夹断电压: | 1(V) |
跨导: | 1(μS) | 极间电容: | 1(pF) |
低频噪声系数: | 1(dB) | zui大漏极电流: | 1(mA) |
zui大耗散功率: | 1(mW) | 类型: | 其他IC |
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